onsemI NXH40B120MNQ0SNG IGBT Module Q0PACK - Case 180AJ (Pb-Free and HalIde-Free Solder PIns)
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064077540
- Артикул
- NXH40B120MNQ0SNG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 7
- Channel Type
- Dual N Channel
- Power Dissipation
- 118Вт
- Number of Transistors
- 2
Цена по запросу
(от 15 100 ₽)
Минимальный заказ: 24 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой модуль ON Semiconductor 3 Channel Boost Q1 - это силовой модуль, содержащий двойной каскад наддува.
Технические параметры
| Вес, г | 7 |
| Channel Type | Dual N Channel |
| Power Dissipation | 118Вт |
| Number of Transistors | 2 |
| Maximum Power Dissipation | 118 W |
| Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
| Количество Выводов | 22вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 38А |
| Рассеиваемая Мощность | 118Вт |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Конфигурация МОП-транзистора | DualPack |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |