NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014533522
- Артикул
- NXH35C120L2C2SG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- DIP26
- Configuration
- 3 Phase
Цена по запросу
(от 29 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой модуль ON Semiconductor transfer, отлитый из полупроводника, содержит сxему преобразователь-инвертор-тормоз, состоящую из шести выпрямителей на 35 Ампер и 1600 Вольт, шести IGBT на 35 ампер и 1200 Вольт с обратными диодами, одного IGBT на 35 ампер и 1200 вольт с тормозным диодом и термистора NTC.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | DIP26 |
| Configuration | 3 Phase |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 6 |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Continuous Collector Current | 35А |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20.0V |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| DC Ток Коллектора | 35А |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Конфигурация БТИЗ | Three Phase CIB(Converter+Inverter+Brake) |
| Количество Выводов | 26вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.8В |
| Maximum Continuous Collector Current | 35 A |
| Полярность Транзистора | Шесть N Каналов |
| Стиль Корпуса Транзистора | DIP |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.8В |