NXH35C120L2C2ESG, IGBT Module, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 35 A, 1.8 V, 150 °C, DIP
![NXH35C120L2C2ESG, IGBT Module, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 35 A, 1.8 V, 150 °C, DIP](https://static.epl-electro.ru/lib/701/DOC024701570.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012524728
- Артикул
- NXH35C120L2C2ESG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2
- Channel Type
- N
- Package Type
- DIP26
- Configuration
- 3 Phase
Цена по запросу
(от 20 860 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой модуль ON Semiconductor transfer с подложкой с низким тепловым сопротивлением, содержащий сxему преобразователь-инвертор-тормоз, состоящую из шести выпрямителей на 35 Ампер и 1600 Вольт, шести IGBT на 35 ампер и 1200 Вольт с обратными диодами, одного IGBT на 35 ампер и 1200 Вольт с тормозным диодом и термистора NTC.
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Channel Type | N |
| Package Type | DIP26 |
| Configuration | 3 Phase |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 6 |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20.0V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 35 A |