NXH160T120L2Q2F2SG, Trans IGBT Module N-CH 1200V 181A 500W 56-Pin PIM Tray
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013200468
- Артикул
- NXH160T120L2Q2F2SG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Power Dissipation
- 500Вт
- Выводы БТИЗ
- Solder
- Continuous Collector Current
- 160А
Цена по запросу
(от 15 980 ₽)
Минимальный заказ: 12 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Power Dissipation | 500Вт |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Continuous Collector Current | 160А |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
| DC Ток Коллектора | 160А |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Half Bridge Inverter |
| Количество Выводов | 56вывод(-ов) |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.15В |
| Рассеиваемая Мощность | 500Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | PIM |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.15В |