NXH100B120H3Q0PG, IGBT Module, Dual, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Module
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012539826
- Артикул
- NXH100B120H3Q0PG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 90
- Package Type
- Case 180BF(Pb-Free and Halide-Free)Press-Fit Pins
- Number of Transistors
- 2
- Maximum Power Dissipation
- 186 W
Цена по запросу
(от 10 630 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль питания ON Semiconductor Dual Boost Power Module - это модуль питания, содержащий два усилительныx каскада. Встроенные IGBT-транзисторы и SiC-диоды обеспечивают меньшие потери на проводимость и коммутацию, что позволяет разработчикам достичь высокой эффективности и превосxодной надежности.
Технические параметры
| Вес, г | 90 |
| Package Type | Case 180BF(Pb-Free and Halide-Free)Press-Fit Pins |
| Number of Transistors | 2 |
| Maximum Power Dissipation | 186 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 61 A |