NXH Type N-Channel MOSFET, 38 A, 1200 V Enhancement, 22-Pin PIM22 NXH030F120M3F1PTG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056722841
- Артикул
- NXH030F120M3F1PTG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 1
- FET Feature
- Depletion Mode
- Power - Max
- 100W(Tj)
Цена по запросу
(от 24 610 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Матрица Моп-транзисторов 1200 В (1,2кВ) 38А (Tc) 100 Вт (Tj) с креплением на шасси 22-PIM (33.8x42.5)
Технические параметры
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Depletion Mode |
| Power - Max | 100W(Tj) |
| Configuration | 4 N-Channel(Full Bridge) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 15mA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38.5mOhm @ 30A, 18V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Supplier Device Package | 22-PIM(33.8x42.5) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V(1.2kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2246pF @ 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 38 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |