NXH020F120MNF1PTG IGBT Module F1-4PACK Press-fit Pins with pre-applied thermal interface material (TIM) (Pb-Free
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041282710
- Артикул
- NXH020F120MNF1PTG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Technology
- Silicon Carbide(SiC)
- Вес, г
- 7.2
- Power - Max
- 119W(Tj)
- Package Type
- F1-4PACK Press-fit Pins with pre-applied thermal interface material(TIM)(Pb-Free and Halide-Free)
Цена по запросу
(от 42 600 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль ON Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET - это модуль питания, содержащий полный мост SiC MOSFET 20 м /1200 В и термистор в корпусе F1.
Технические параметры
| Technology | Silicon Carbide(SiC) |
| Вес, г | 7.2 |
| Power - Max | 119W(Tj) |
| Package Type | F1-4PACK Press-fit Pins with pre-applied thermal interface material(TIM)(Pb-Free and Halide-Free) |
| Configuration | 4 N-Channel(Full Bridge) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
| Number of Transistors | 4 |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 50A, 20V |
| Supplier Device Package | 22-PIM(33.8x42.5) |
| Maximum Power Dissipation | 119 W |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 213.5nC @ 20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V(1.2kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2420pF @ 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A(Tc) |