NXH011T120M3F2PTHG, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046405959
- Артикул
- NXH011T120M3F2PTHG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 300
- No. of Pins
- 29Pins
- Channel Type
- N Channel
- Transistor Case Style
- Module
Цена по запросу
(от 25 600 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 300 |
| No. of Pins | 29Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Transistor Case Style | Module |
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 91A |
| MOSFET Module Configuration | Half Bridge |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4.4V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 272W |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 18V |