Моя заявка (0)

NXH Type N-Channel MOSFET, 105 A, 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH011F120M3F2PTHG

NXH Type N-Channel MOSFET, 105 A, 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH011F120M3F2PTHG

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050012770
Артикул
NXH011F120M3F2PTHG
Бренд
ON Semiconductor***
Brand
onsemi
Type:
Full Bridge
Brand:
onsemi
Series
NXH
Цена по запросу
(от 40 690 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковый МОП−транзистор ON представляет собой силовой модуль, содержащий полный мост SiC-МОП-транзистора 11 Мом / 1200 В и термистор с HPS DBC в корпусе F2.

Технические параметры

Brandonsemi
Type:Full Bridge
Brand:onsemi
SeriesNXH
Pin Count34
Fall Time:12.6 ns
Packaging:Tray
Rise Time:12.7 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Package TypePIM34
Subcategory:Discrete and Power Modules
Manufacturer:onsemi
Package/Case:PIM-34
Product Type:MOSFET Modules
Configuration:Full Bridge
Mounting Style:Press Fit
Product Category:MOSFET Modules
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSiC
Transistor Polarity:N-Channel
Vf - Forward Voltage:5.21 V
Factory Pack Quantity:20
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:244 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +22 V
Number of Elements per Chip4
Typical Turn-On Delay Time:30.9 ns
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Typical Turn-Off Delay Time:110.5 ns
Id - Continuous Drain Current:105 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Continuous Drain Current105 A
Rds On - Drain-Source Resistance:16 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.72 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А105
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация