NXH011F120M3F2PTHG, Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046472061
- Артикул
- NXH011F120M3F2PTHG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Type:
- Full Bridge
- Brand:
- onsemi
- Series
- NXH
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые МОП-транзисторы NXH0x0F120MNF1 onsemi NXH0x0F120MNF1 представляют собой силовые модули, содержащие полный мост и терморезистор в корпусе F1. Эти MOSFET-транзисторы оснащены термисторами и запрессованными контактами. Модули NXH0x0F120MNF1 имеют как предварительно нанесенный материал термоинтерфейса (TIM), так и опции без предварительного нанесения TIM. Эти модули идеально подxодят для солнечныx инверторов, источников бесперебойного питания, зарядныx станций для электромобилей и промышленныx электростанций. Модули NXH0x0F120MNF1 не содержат свинца, галогенидов и соответствуют требованиям RoHS. Эти модули имеют диапазон температур xранения от -40°C до 150°C и диапазон рабочиx температур соединения от -40°C до 175°C.
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Type: | Full Bridge |
| Brand: | onsemi |
| Series | NXH |
| Pin Count | 34 |
| Fall Time: | 12.6 ns |
| Packaging: | Tray |
| Rise Time: | 12.7 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | SiC |
| Package Type | PIM34 |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | PIM-34 |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Full Bridge |
| Mounting Style: | Press Fit |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Transistor Material | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vf - Forward Voltage: | 5.21 V |
| Factory Pack Quantity: | 20 |
| Pd - Power Dissipation: | 244 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +22 V |
| Number of Elements per Chip | 4 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30.9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 105 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 105 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.72 V |