SiC Power Module, 900 V F1-2PACK NXH010P90MNF1PTG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043449004
- Артикул
- NXH010P90MNF1PTG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Technology
- Silicon Carbide(SiC)
- Вес, г
- 1
- Power - Max
- 328W(Tj)
- Package Type
- F1-2PACK
Цена по запросу
(от 42 770 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semiconductor представляет собой силовой модуль, содержащий полумост SiC MOSFET на 10 Мом/900 В и термистор в корпусе F1.
Технические параметры
| Technology | Silicon Carbide(SiC) |
| Вес, г | 1 |
| Power - Max | 328W(Tj) |
| Package Type | F1-2PACK |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual)Common Source |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 40mA |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 100A, 15V |
| Особенности | высоковольтный |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 546.4nC @ 15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Maximum Continuous Drain Current | 154 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7007pF @ 450V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 154A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 328 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |