SiC Power Module, 1200 V F1-2PACK NXH010P120MNF1PTG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043449003
- Артикул
- NXH010P120MNF1PTG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Technology
- Silicon Carbide(SiC)
- Вес, г
- 1
- Power - Max
- 250W(Tj)
- Package Type
- F1-2PACK
Цена по запросу
(от 62 520 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль SiC - Двуxкомпонентная полумостовая топология EliteSiC, 1200 В, Запрессованные контакты SiC M1 MOSFET емкостью 10 Мом, материал термоинтерфейса: Полупроводниковый модуль ON представляет собой силовой модуль, содержащий полумост SiC MOSFET емкостью 10 Мом/1200 В и терморезистор в корпусе F1.
Технические параметры
| Technology | Silicon Carbide(SiC) |
| Вес, г | 1 |
| Power - Max | 250W(Tj) |
| Package Type | F1-2PACK |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual)Common Source |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 40mA |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 100A, 20V |
| Особенности | высоковольтный |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 454nC @ 20V |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V(1.2kV) |
| Maximum Continuous Drain Current | 114 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4707pF @ 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 114A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |