NXH Type N-Channel MOSFET, 105 A, 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH010P120M3F1PTG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056520295
- Артикул
- NXH010P120M3F1PTG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Technology
- Silicon Carbide(SiC)
- Вес, г
- 1
- FET Feature
- Silicon Carbide(SiC)
- Power - Max
- 272W(Tj)
Цена по запросу
(от 30 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Массив Моп-транзисторов 1200В (1,2 кВ) 105А (Tc) 272 Вт (Tj) для монтажа на шасси
Технические параметры
| Technology | Silicon Carbide(SiC) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Silicon Carbide(SiC) |
| Power - Max | 272W(Tj) |
| Configuration | 2 N-Channel(Half Bridge) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 45mA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 90A, 18V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 314nC @ 18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V(1.2kV) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6451pF @ 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 105A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 105 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 272 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |