Моя заявка (0)

NXH007F120M3F2PTHG, Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM

NXH007F120M3F2PTHG, Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046472060
Артикул
NXH007F120M3F2PTHG
Бренд
ON Semiconductor***
Brand
onsemi
Series
NXH
Pin Count
34
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 32 630 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковый МОП−транзистор ON представляет собой силовой модуль, содержащий полумост SiC-МОП-транзистора на 7 мом / 1200 В и термистор с HPS DBC в корпусе F2.

Технические параметры

Brandonsemi
SeriesNXH
Pin Count34
Вес, г0.01
Package TypePIM34
Transistor MaterialSiC
Number of Elements per Chip4
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Maximum Continuous Drain Current149 A

Техническая документация