NXH006P120MNF2PTG, Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Half Bridge, N Channel, 304 A, 1.2 kV, 0.00548 ohm, Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009568070
- Артикул
- NXH006P120MNF2PTG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- MOSFET
- Current
- 304 A
- Voltage
- 1.2 kV
- Pin Count
- 36
Цена по запросу
(от 55 130 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль питания ON Semiconductor− содержащий полумост SiC MOSFET напряжением 1200 В и термистор в корпусе F2.
Технические параметры
| Type | MOSFET |
| Current | 304 A |
| Voltage | 1.2 kV |
| Pin Count | 36 |
| Вес, г | 90 |
| Channel Type | N |
| Package Type | F2 |
| Configuration | Half Bridge Inverter |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Module |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Voltage - Isolation | 3000Vrms |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.006 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 304 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 304 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00548 Ом |