NXH Dual SiC N-Channel MOSFET, 191 A, 1200 V, 36-Pin PIM36 NXH006P120M3F2PTHG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050012768
- Артикул
- NXH006P120M3F2PTHG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- Half Bridge
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 8.54 ns
- Packaging:
- Tray
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полумостовой SiC-модуль NXH006P120MNF2PTG onsemi Полумостовой SiC-модуль NXH006P120MNF2PTG оснащен двумя SiC-МОП-транзисторами на 6 Мом 1200 В и термистором в корпусе F2. В переключателяx SiC MOSFET используется теxнология M1, и они приводятся в действие вентильным приводом напряжением от 18 В до 20 В. Модуль NXH006P120MNF2 обеспечивает повышенную надежность благодаря теxнологии planar и низкому тепловому сопротивлению матрицы. Типичные области применения включают преобразование постоянного тока в переменный, преобразование постоянного тока в постоянный ток, системы накопления энергии, ИБП, преобразование переменного тока в постоянный, зарядные станции для электромобилей и солнечные инверторы.
Технические параметры
| Type: | Half Bridge |
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 8.54 ns |
| Packaging: | Tray |
| Rise Time: | 13.61 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | PIM-36 |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Half Bridge |
| Mounting Style: | Press Fit |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vf - Forward Voltage: | 5.31 V |
| Factory Pack Quantity: | 20 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 556 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 40.53 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 109 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 191 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 191 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |