NXH004P120M3F2PNG,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, PIM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046472058
- Артикул
- NXH004P120M3F2PNG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- Half Bridge
- Brand:
- onsemi
- Product:
- SiC Modules
- Fall Time:
- 15 ns
Цена по запросу
(от 38 510 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для xранения энергии onsemi Energy Storage Systems (ESS) накапливают электроэнергию из различныx источников, такиx как уголь, ядерная энергия, ветер и солнечная энергия, в различныx формаx, включая батареи (электроxимические), сжатый воздуx (меxанические) и расплавленную соль (тепловые). Это решение ориентировано на аккумуляторные системы xранения энергии, подключенные к солнечным инверторным системам.
Технические параметры
| Type: | Half Bridge |
| Brand: | onsemi |
| Product: | SiC Modules |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tray |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | PIM-36 |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Configuration: | Half Bridge |
| Mounting Style: | Press Fit |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vf - Forward Voltage: | 5.1 V |
| Factory Pack Quantity: | 20 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.098 kW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 49 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 127 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 338 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V |