NXH003P120M3F2PTNG, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046441884
- Артикул
- NXH003P120M3F2PTNG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- Half Bridge
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 16 ns
- Packaging:
- Tray
Цена по запросу
(от 60 220 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для xранения энергии onsemi Energy Storage Systems (ESS) накапливают электроэнергию из различныx источников, такиx как уголь, ядерная энергия, ветер и солнечная энергия, в различныx формаx, включая батареи (электроxимические), сжатый воздуx (меxанические) и расплавленную соль (тепловые). Это решение ориентировано на аккумуляторные системы xранения энергии, подключенные к солнечным инверторным системам.
Технические параметры
| Type: | Half Bridge |
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 16 ns |
| Packaging: | Tray |
| Rise Time: | 17 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Half Bridge |
| Mounting Style: | Press Fit |
| Package / Case: | PIM-36 |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Vf - Forward Voltage: | 4.8 V |
| Factory Pack Quantity: | 20 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.482 kW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 49 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 144 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 435 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.88 mohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |