NX7002BKWX, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013249990
- Артикул
- NX7002BKWX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- Brand:
- Nexperia
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 9,91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 60 В, 0,24 А, SC-70-3; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 240 мА; Напряжение источника стока Vds: 60 В; Сопротивление включения Rds(on): 2,2 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:1,6В; P
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| Brand: | Nexperia |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Reel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Nexperia |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-323-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934068621115 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 1 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 200mA, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 322 mW |
| Power Dissipation (Max) | 310mW(Ta), 1.67W(Tc) |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 330 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.8 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23.6 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 270mA(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |