NX7002BKSX, Dual MOSFET, Trench, N Channel, 60 V, 60 V, 240 mA, 240 mA, 2.2 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8276995545
- Артикул
- NX7002BKSX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Nexperia
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 35 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 60 В 270 мА (Ta), 310 МВт (Ta), 1,67 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 6-TSSOP
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Nexperia |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 2.9 ns, 2.9 ns |
| Rise Time: | 4.3 ns, 4.3 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSSOP-6 |
| Part # Aliases: | 934068619115 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 310mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 200mA, 10V |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 870 mW |
| Power Dissipation (Max) | 310mW(Ta), 1.67W(Tc) |
| Supplier Device Package | 6-TSSOP |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.7 ns, 4.7 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6.9 ns, 6.9 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 270mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 330 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 600 mS, 600 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.7 Ohms, 5.7 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23.6 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 270mA(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.24 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.31 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.8Ω@10V, 200mA |