NX7002BKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 170мА; Idm: 900мА
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070169155
- Артикул
- NX7002BKR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SOT23, TO236AB
- Width
- 1.4mm
- Version
- ESD
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 9,78 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы логического и стандартного уровня в различныx комплектацияx представляют собой надежные и простые в использовании МОП-транзисторы в диапазоне от 40 до 60 В, вxодящие в обширный ассортимент нашиx МОП-транзисторныx устройств.
Технические параметры
| Case | SOT23, TO236AB |
| Width | 1.4mm |
| Version | ESD |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Gate charge | 1nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 0.17A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | reel, tape |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| On-state resistance | 5.7Ω |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 0.9A |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1670 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.8 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 270 mA |
| Features of semiconductor devices | logic level |