Моя заявка (0)
NX7002AKW,115

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8712239584
Бренд
Nexperia B.V.
RoHS
Details
Brand
Nexperia
FET Type
N-Channel
Fall Time
14 ns
Цена по запросу
(от 4,47 ₽)
Минимальный заказ: 65 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В

Технические параметры

RoHSDetails
BrandNexperia
FET TypeN-Channel
Fall Time14 ns
PackagingReel
Rise Time7 ns
Vgs (Max)±20V
TechnologySi
Вес, г0.1
Channel ModeEnhancement
ManufacturerNexperia
Корпусsot-323
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-323-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge0.33 nC
Number of Channels1 Channel
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity3000
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Pd - Power Dissipation1.06 W
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 100mA, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)220mW(Ta), 1.06W(Tc)
Supplier Device PackageSOT-323
Typical Turn-On Delay Time6 ns
Typical Turn-Off Delay Time20 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.43 nC @ 4.5 V
Id - Continuous Drain Current170 mA
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Forward Transconductance - Min230 mS
Rds On - Drain-Source Resistance3 Ohms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds17 pF @ 10 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1.6 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C170mA(Ta)
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.17
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация