NX3020NAK,215, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024652701
- Артикул
- NX3020NAK,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SOT23, TO236AB
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 10,72 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор NX3020NAK/TO-236AB/REEL 7" Q3/
Технические параметры
| Case | SOT23, TO236AB |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | SMD |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.02 |
| Gate charge | 0.44nC |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Polarisation | unipolar |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Drain current | 0.125A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | NX3020 -> |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 9.2Ω |
| Drain-source voltage | 30V |
| Pulsed drain current | 0.8A |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 17 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 100mA, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta), 1.06W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | TO-236AB-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.44nC @ 4.5V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Qg - заряд затвора | 0.34 nC |
| Время нарастания | 5 ns |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 200mA (Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 320 mS |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |