Моя заявка (0)

NX3008NBK,215, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 400мА, 350мВт, TO236AB

NX3008NBK,215, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 400мА, 350мВт, TO236AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024650126
Артикул
NX3008NBK,215
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Width
1.4mm
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->
Цена по запросу
(от 4,71 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 30 В 400 мА (Tc), 350 МВт (Ta), 1,14 Вт (Tc) для поверxностного монтажа TO-236AB

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Width1.4mm
SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET TypeN-Channel
Pin Count3
Vgs (Max)В±8V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г0.02
RoHS StatusROHS3 Compliant
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
REACH StatusREACH Unaffected
КорпусTO236
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250ВµA
СтруктураN-МОП
Base Product NumberNX3008 ->
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Особенности-
Power Dissipation (Max)350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Supplier Device PackageTO-236AB
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.14 W
Typical Gate Charge @ Vgs0.52 nC @ 4.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage1.1V @ 250uA
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.68nC @ 4.5V
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Maximum Gate Threshold Voltage1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage0.6V
Maximum Drain Source Resistance2.8 Ω
Maximum Continuous Drain Current400 mA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Rds On - Drain-Source Resistance1.4О© @ 350mA,4.5V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)1.14W(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 15V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C400mA(Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C400mA (Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А236
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация