Моя заявка (0)

NX138BKWX, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 210 mA, 2.1 ohm, SC-70, Surface Mount

NX138BKWX, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 210 mA, 2.1 ohm, SC-70, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003713850
Артикул
NX138BKWX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.01
Technology:
Si
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 80 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г0.01
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:SOT-323-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934070157115
Power Dissipation266мВт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:490 pC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:400 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:265 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance2.1Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 Ohms
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:500 mV
Непрерывный Ток Стока210мА
Рассеиваемая Мощность266мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораSC-70
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)2.1Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.21
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.266
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.1 Ом

Техническая документация