Моя заявка (0)

NX1029XH, Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm

NX1029XH, Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001698287
Артикул
NX1029XH
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.02
Channel Type
Complementary N and P Channel
Структура
P-Channel
Особенности
комплементарная пара транзисторов
Цена по запросу
(от 111 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.02
Channel TypeComplementary N and P Channel
СтруктураP-Channel
Особенностикомплементарная пара транзисторов
КвалификацияAEC-Q101
Power Dissipation N Channel500мВт
Power Dissipation P Channel500мВт
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока330мА
Рассеиваемая Мощность500мВт
Drain Source On State Resistance N Channel1Ом
Drain Source On State Resistance P Channel1Ом
Полярность ТранзистораДополнительные каналы N и P
Пороговое Напряжение Vgs1.6В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-666
Непрерывный Ток Стока, N Канал330мА
Непрерывный Ток Стока, P Канал330мА
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал60В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал60В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)1Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.33
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1 Ом

Техническая документация