Моя заявка (0)

NVTR4502PT1G, Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

NVTR4502PT1G, Trans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001347089
Артикул
NVTR4502PT1G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.21.00.95
PPAP
Yes
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 50 ₽)
Минимальный заказ: 1864 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

HTS8541.21.00.95
PPAPYes
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Package Width1.3
Package Height0.94
Package Length2.9
EDA / CAD ModelsNVTR4502PT1G by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-23
СтруктураMOSFET
Standard Package NameSOT
Power Dissipation (Pd)400mW
Typical Fall Time (ns)17.5
Typical Rise Time (ns)12
Особенностиавтомобильные приложения
Total Gate Charge (Qg@Vgs)10nC@10V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)200pF@15V
Continuous Drain Current (Id)1.13A
Maximum Power Dissipation (mW)400
Typical Gate Charge @ 10V (nC)6
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)6@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)5.2
Maximum Drain Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)19
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)1.13
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)200@15V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)200@10V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация