NVTR01P02LT1G, MOSFETs PFET 20V 0.160R TR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375955
- Артикул
- NVTR01P02LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 36,58 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 3.1 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 400mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.1nC@4V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 225pF@5V |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.3A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.25 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 220 mOhms |