NVTJD4001NT1G, Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000380339
- Артикул
- NVTJD4001NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.4
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- полевая сборка
- Количество Выводов
- 6вывод(-ов)
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.4 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 250мА |
| Рассеиваемая Мощность | 272мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.272 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1 Ом |