NVTFWS9D6P04M8LTAG, MOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375953
- Артикул
- NVTFWS9D6P04M8LTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 49.3 ns
- Rise Time:
- 91.5 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные МОП-транзисторы NVTFS9D6P04M8L P-канальные МОП-транзисторы onsemi NVTFS9D6P04M8L представляют собой одноканальные P-канальные МОП-транзисторы с напряжением питания -40 В, -64 А, которые отличаются низким RDS (on) и малой емкостью для минимизации потерь проводимости и драйвера. Эти МОП-транзисторы NVTFS9D6P04M8L имеют размеры 3,3 x 3,3 мм, что обеспечивает компактность конструкции. МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и поддерживают теxнологию PPAP. Типичные области применения включают защиту аккумулятора, управление двигателем, выключатели питания, импульсные источники питания, выключатель нагрузки и электромагнитный привод.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 49.3 ns |
| Rise Time: | 91.5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | WDFN-8 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34.6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 3.2W;75W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 75 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 34.6nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12.6 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.312nF@20V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 74.6 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 13A;64A |
| Id - Continuous Drain Current: | 64 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 46 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 31pF@20V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.4V@580uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.5mΩ@10V, 20A |