Моя заявка (0)

NVTFS6H888NTAG,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Surface Mount

NVTFS6H888NTAG,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001514309
Артикул
NVTFS6H888NTAG
Бренд
ON Semiconductor***
MSL
MSL 1-Unlimited
Вес, г
1.361
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 120 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 12 А; Напряжение источника стока Vds: 80 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,0457 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs: 4 В

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Вес, г1.361
No. of Pins8Pins
Channel TypeN Channel
QualificationAEC-Q101
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleWDFN
Особенности-
Drain Source Voltage Vds80V
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id12A
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10V

Техническая документация