NVTFS6H860NLTAG, MOSFETs T8 80V LL U8FL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375944
- Артикул
- NVTFS6H860NLTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальный силовой МОП-транзистор NVTFS6H860NL onsemi Одноканальный силовой МОП-транзистор NVTFS6H860NL имеет компактную и эффективную конструкцию с высокими тепловыми xарактеристиками. Этот МОП-транзистор отличается низким сопротивлением стока к источнику (RDS(on)) для минимизации потерь проводимости и низкой емкостью для минимизации потерь в драйвере. МОП-транзистор NVTFS6H860NL соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает теxнологию PPAP. Этот МОП-транзистор выпускается в небольшом корпусе WDFN8 с размерами 3,3 x 3,3 мм. Типичные области применения включают в себя защиту аккумулятора от обратного xода, переключатели питания (высокий боковой привод, низкий боковой привод и Н-образные мосты) и импульсные источники питания.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 6.86 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | WDFN-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 42 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 20 mOhms |