Моя заявка (0)
NVTFS5C478NLWFTAG, MOSFETs AFSM T6 40V LL U8FL WF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005375936
Артикул
NVTFS5C478NLWFTAG
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
4 ns
Rise Time:
39 ns
Вес, г
0.02
Цена по запросу
(от 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:4 ns
Rise Time:39 ns
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:WDFN-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:8 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:20 W
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:14 ns
Id - Continuous Drain Current:26 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:25 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)11.5 mOhms

Техническая документация