NVTFS5C454NLWFTAG, MOSFETs T6 40VNCH LL IN U8FL WF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375932
- Артикул
- NVTFS5C454NLWFTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series
- -
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 380 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы NVMx и NVTx onsemi NVMx и NVTx Power соответствуют требованиям стандарта AEC Q101 и предлагают компактные и эффективные решения для применения в автомобилестроении. Силовые МОП-транзисторы NVMx и NVTx обеспечивают низкий уровень RDS (on) для минимизации потерь на проводимость и низкое QG и емкость для минимизации потерь в драйвере. Эти одноканальные МОП-транзисторы onsemi, выполненные в компактныx корпусаx SO-8FL и WDFN8, не содержат Pb, галогенов/BFR и соответствуют требованиям RoHS.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series | - |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 100 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.02 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | WDFN-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 20A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 55 W |
| Power Dissipation (Max) | 55W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-WDFN(3.3x3.3) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.3 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Id - Continuous Drain Current: | 85 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.3 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 85A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |