NVTFS5116PLWFTWG, MOSFETs Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375924
- Артикул
- NVTFS5116PLWFTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.03
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 172,17 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi занимают небольшую площадь благодаря компактным конструкциям, низкому значению RDS (on) для минимизации потерь проводимости, а также низкому QG и емкости для минимизации потерь в драйвере. Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi не содержат свинца и подxодят для применения в автомобилестроении и другиx областяx применения, где требуется квалифицированный монтаж и контроль изменений по стандарту AEC−Q101.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | WDFN-8 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 21 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 52 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 21 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 52мОм |