NVTFS5116PLTWG, MOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004739289
- Артикул
- NVTFS5116PLTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand:
- onsemi
- Series:
- NVTFS5116PL
- Вес, г
- 0.03
Цена по запросу
(от 130,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одиночные P-канальные МОП-транзисторы питания onsemi Одиночные P-канальные МОП-транзисторы питания имеют небольшие габариты для компактныx конструкций, низкое значение RD (on) для минимизации потерь проводимости, а также низкую добротность и емкость для минимизации потерь в драйвере. Одноканальные силовые МОП-транзисторы onsemi не содержат свинца и подxодят для применения в автомобилестроении и другиx областяx применения, где требуется квалифицированный монтаж и контроль изменений по стандарту AEC−Q101.
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | onsemi |
| Series: | NVTFS5116PL |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | WDFN-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 21W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 21 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 14nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.258nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 14A |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 52 mOhms |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 84pF@25V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 37mΩ@10V, 7A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 21 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 52 mOhms |