Моя заявка (0)

NVTFS4C13NTAG, Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101

NVTFS4C13NTAG, Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002184787
Артикул
NVTFS4C13NTAG
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
Yes
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 54 ₽)
Минимальный заказ: 570 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 30V 14A 8-контактный WDFN EP T/R Автомобильный AEC-Q101

Технические параметры

PPAPYes
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveYes
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusNRND
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width3.05 mm
Package Length3.05 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageWDFN EP
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Standard Package NameDFN
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)5|3
Typical Rise Time (ns)35|26
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)15.2
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)7.8@4.5V|15.2@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)9|6
Maximum Drain-Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)13|16
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.1
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)770@15V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)9.4@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт26
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация