Моя заявка (0)

NVTFS4C08NTAG, Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101

NVTFS4C08NTAG, Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002184716
Артикул
NVTFS4C08NTAG
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
Yes
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 165 ₽)
Минимальный заказ: 465 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 30V 55A 8-контактный WDFN EP T/R Автомобильный AEC-Q101

Технические параметры

PPAPYes
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveYes
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width3.05 mm
Package Length3.05 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageWDFN EP
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Standard Package NameDFN
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)4|3
Typical Rise Time (ns)33|26
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)31000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)18.2
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)8.4@4.5V|18.2@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)9|7
Maximum Drain-Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)15|19
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.2
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)55
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1113@15V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)5.9@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А55
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация