Моя заявка (0)
NVTFS4C06NTWG, MOSFETs NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006241637
Артикул
NVTFS4C06NTWG
Бренд
ON Semiconductor***
Grade
Automotive
Brand:
onsemi
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Цена по запросу
(от 195,09 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:onsemi
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
Packaging:Reel, Cut Tape
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:WDFN-8
Product Type:MOSFETs
QualificationAEC-Q101
Configuration:Single
Package / Case8-PowerWDFN
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:26 nC
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Factory Pack Quantity:5000
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 30A, 10V
Pd - Power Dissipation:37 W
Power Dissipation (Max)3.1W(Ta), 37W(Tc)
Supplier Device Package8-WDFN(3.3x3.3)
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Id - Continuous Drain Current:71 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:4.2 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1683 pF @ 15 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A(Ta)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.3 V

Техническая документация