Моя заявка (0)
NVTFS4C05NWFTAG, MOSFETs NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005375913
Артикул
NVTFS4C05NWFTAG
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Вес, г
0.02
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 218,68 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Brand:onsemi
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:WDFN-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:31 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:68 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:102 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А102
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт68
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация