Моя заявка (0)

NVTFS4C02NWFTAG, 30V 162A 1.9mOhm@10V,20A 107W 1.6V 1 N-channel WDFN-8-EP(3.3x3.3) MOSFETs ROHS

NVTFS4C02NWFTAG, 30V 162A 1.9mOhm@10V,20A 107W 1.6V 1 N-channel WDFN-8-EP(3.3x3.3) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062034643
Артикул
NVTFS4C02NWFTAG
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Pin Count
8
Packaging:
Reel
Вес, г
0.5
Цена по запросу
(от 343,10 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одиночные N-канальные силовые МОП-транзисторы onsemi Одиночные N-канальные силовые МОП-транзисторы - это МОП-транзисторы небольшого размера и компактной конструкции с низким коэффициентом усиления (вкл.) и малой емкостью. Низкое значение RDS (on) помогает свести к минимуму потери проводимости, а низкая емкость - к минимуму потери в драйвере. Эти одноканальные МОП-транзисторы питания не содержат Pb и соответствуют требованиям RoHS, а диапазон рабочиx температур составляет от -55°C до 175°C.

Технические параметры

Brand:onsemi
Pin Count8
Packaging:Reel
Вес, г0.5
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeWDFN
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:WDFN-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:20 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:3.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Id - Continuous Drain Current:162 A
Maximum Gate Threshold Voltage2.2V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.00225 Ω
Maximum Continuous Drain Current162 A
Rds On - Drain-Source Resistance:2.25 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1500

Техническая документация