NVTFS052P04M8LTAG, MOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375909
- Артикул
- NVTFS052P04M8LTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 98
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 142 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 98 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | WDFN-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 23 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 13.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 69 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 23 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |