Моя заявка (0)

NVTFS003N04CTAG, 40V 103A 2.9mOhm@10V,50A 69W 3.5V@60uA 1 N-Channel WDFN-5(3.3x3.3) MOSFETs ROHS

NVTFS003N04CTAG, 40V 103A 2.9mOhm@10V,50A 69W 3.5V@60uA 1 N-Channel WDFN-5(3.3x3.3) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062494466
Артикул
NVTFS003N04CTAG
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
3 ns
Rise Time:
47 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:3 ns
Rise Time:47 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:WDFN-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:23 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Pd - Power Dissipation:69 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Id - Continuous Drain Current:103 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:93 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация