Моя заявка (0)

NVR5198NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

NVR5198NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022123520
Артикул
NVR5198NLT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
1.4mm
Pin Count
3
Вес, г
0.02
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 117 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильный силовой МОП-транзистор. 60 В, 155 Мом, Одинарный N-канальный логический уровень, SOT-23. Стандартный промышленный комплект SOT−23 для поверxностного монтажа.

Технические параметры

Width1.4mm
Pin Count3
Вес, г0.02
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
Корпусsot23
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураMOSFET
Automotive StandardAEC-Q101
Forward Diode Voltage1.2V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.5 W
Typical Gate Charge @ Vgs5.1 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage1.5V
Maximum Drain Source Resistance205 mΩ
Maximum Continuous Drain Current2.2 A
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация