Моя заявка (0)
NVR5124PLT1G, MOSFETs T1 60V PCH

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005375899
Артикул
NVR5124PLT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Grade
Automotive
FET Type
P-Channel
Pin Count
3
Vgs (Max)
±20V
Цена по запросу
(от 53,73 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильный силовой МОП-транзистор. -60 В, 230 Мом, Одноканальный логический уровень P-канала, SOT-23. МОП-транзисторы с поддержкой PPAP подxодят для применения в автомобиляx.

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeP-Channel
Pin Count3
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Channel TypeP Channel
Package TypeSOT-23
Вес, кг86.2
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation470мВт
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
СтруктураP-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 3A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)470mW(Ta)
Supplier Device PackageSOT-23-3(TO-236)
КвалификацияAEC-Q101
Maximum Power Dissipation-0.47 W
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drain Source On State Resistance0.183Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds240 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A(Ta)
Непрерывный Ток Стока1.1А
Рассеиваемая Мощность470мВт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.183Ом
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация