Моя заявка (0)

NVR1P02T1G, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Surface Mount

NVR1P02T1G, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1 A, 0.148 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8772971079
Артикул
NVR1P02T1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
Yes
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 95 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH 20V 1A автомобильный 3-контактный SOT-23 T/R

Технические параметры

PPAPYes
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.002
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
КорпусSOT-23
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-23
СтруктураP-Channel
Standard Package NameSOT
Typical Fall Time (ns)3
Typical Rise Time (ns)9
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)400
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)2.5 5V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)7
Maximum Drain Source Voltage (V)20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)9
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)1
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)165 5V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)180 10V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.148 Ом

Техническая документация