NVR1P02T1G, MOSFETs AUTOMOTIVE MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005526662
- Артикул
- NVR1P02T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- Yes
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 51,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET P-CH 20V 1A автомобильный 3-контактный SOT-23 T/R
Технические параметры
| PPAP | Yes |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.01 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 3 |
| Typical Rise Time (ns) | 9 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 400 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 2.5 5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 9 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 165 5V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 180 10V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |