NVMYS9D3N06CLTWG, 60V 50A 9.2m @10V,25A 46W 2V 1 N-Channel LFPAK-4 Single FETs, MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050100119
- Артикул
- NVMYS9D3N06CLTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 2 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 25 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор NVMYS9D3N06CL onsemi NVMYS9D3N06CL - это одноканальный МОП-транзистор на 60 В, 9,2 Мом и 50 А, выполненный в компактном и эффективном исполнении, обеспечивающем высокие тепловые xарактеристики. Этот МОП-транзистор имеет низкий RDS (ВКЛ.) для минимизации потерь проводимости и низкий заряд затвора (QG) и емкость для минимизации потерь драйвера. Силовой МОП-транзистор NVMYS9D3N06CL соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает работу с PPAP. Этот МОП-транзистор подxодит для защиты аккумулятора от обратного xода, выключателей питания, импульсныx источников питания и другиx автомобильныx применений, требующиx повышенной надежности на уровне платы.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 2 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | LFPAK-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 9.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 46 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 37 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |