N-Channel MOSFET, 52 A, 40 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NVMYS7D3N04CLTWG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032907943
- Артикул
- NVMYS7D3N04CLTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.25mm
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 152 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный силовой МОП-транзистор в корпусе LFPAK размером 5x6 мм, разработанный для компактной и эффективной конструкции и обладающий высокими тепловыми xарактеристиками.
Технические параметры
| Width | 4.25mm |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | LFPAK, SOT-669 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 6 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 38 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | LFPAK-4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Qg - заряд затвора | 16 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 12 mΩ |
| Время нарастания | 24 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 52 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 38 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 52 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 29 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 52 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 33 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |