NVMYS6D2N06CLTWG, MOSFETs T6 60V LL LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008902680
- Артикул
- NVMYS6D2N06CLTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 61Вт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 207 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 61Вт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Drain Source On State Resistance | 0.005Ом |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 71А |
| Рассеиваемая Мощность | 61Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | LFPAK |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.005Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |